连续组分铁电外延薄膜在常温附近100K范围内保持介电常数可调率≥60%，硅料硅片器件电容可调率≥50%，Q值≥80，响应时间≤100µs，频率可调率≥25%。

趋势 (g)铱配合物修饰后RGD-Ir@BP的光电流变化。明确暨南大学附属第一医院（华侨医院）博士后研究员陈樑和暨南大学陈晓丹副教授为文章的共同第一作者。

图2、电池跌黑磷纳米药物的放疗增敏机制。铱配合物自身不具有放疗增敏能力，库存但通过配位键结合到黑磷表面可以降低其禁带宽度，库存提高其阻抗、光触发电流以及载流子动力学，最终提高X射线引起的活性氧产生，实现更高效的肿瘤放射治疗（图2）。压力(f)铱配合物修饰后RGD-Ir@BP的阻抗变化。

可见，下继续下配位修饰的策略是改善黑磷等半导体材料其放疗增敏能力的理想方法。硅料硅片此项研究成果发表在纳米领域重要期刊ACSNano(IF= 14.588)上。

趋势暨南大学化学与材料学院/附属第一医院陈填烽教授团队一直致力于纳米放疗增敏剂的化学设计及肿瘤诊疗应用研究。

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